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    台积电3nm工艺计划每平方毫米集成2.5亿晶体管 2022年大规模量产
    2020-04-20

         4月20日消息,据国外媒体报道,在芯片工艺方面走在行业前列的代工商台积电,已顺利大规模量产5nm工艺,良品率也比较可观。

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      在5nm工艺量产之后,台积电工艺研发的重点就将是3nm和更先进的工艺。对于3nm工艺,外媒的报道显示,台积电是计划每平方毫米集成2.5亿个晶体管。

      台积电在3nm工艺方面已研发多年,多年前就在开始筹备量产事宜。台积电创始人张忠谋在2017年的10月份,也就是在他退休前8个月的一次采访中,曾谈到3nm工厂,当时他透露采用3nm工艺的芯片制造工厂计划在2022年建成,保守估计建成时可能会花费150亿美元,最终可能会达到200亿美元。

      而在去年10月份的报道中,外媒表示台积电生产3nm芯片的工厂已经开始建设,工厂占地50到80公顷,预计花费195亿美元。

      在4月16日的一季度财报分析师电话会议上,台积电副董事长兼CEO魏哲家也曾谈到3nm工艺,他表示3nm工艺的研发正在按计划推进,计划2021年风险试产,他们的目标是在2022年下半年大规模量产。

      魏哲家在会上还透露,3nm是他们在5nm之后在芯片工艺上的一个完整的技术跨越,同第一代的5nm工艺(N5)相比,第一代的3nm工艺(N3)的晶体管密度将提升约70%,速度提升10%到15%,芯片的性能提升25%到30%,3nm工艺将进一步夯实他们未来在芯片工艺方面的领导地位。

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